🔹 Giới thiệu 2MBI600VN-120-50 IGBT Fuji 600A 1200V
2MBI600VN-120-50 là một IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) của hãng Fuji Electric, với khả năng chịu dòng lên đến 600A và điện áp ngược tối đa là 1200V. IGBT này được sử dụng rộng rãi trong các ứng dụng công suất cao, đặc biệt là trong các hệ thống điều khiển động cơ, bộ biến tần, và các thiết bị công nghiệp yêu cầu khả năng chuyển mạch mạnh mẽ và ổn định.

Các tính năng chính của 2MBI600VN-120-50 bao gồm khả năng điều khiển điện áp thấp, khả năng chịu tải cao, hiệu suất chuyển mạch nhanh, và tính ổn định cao khi hoạt động ở các mức điện áp và dòng điện cao.
🔹 Cấu tạo
IGBT 2MBI600VN-120-50 có cấu trúc bao gồm các thành phần chính:
-
Chân Gate (G): Chân điều khiển của IGBT, dùng để cung cấp điện áp điều khiển để kích hoạt hoặc tắt trạng thái của transistor.
-
Chân Collector (C): Chân kết nối với điện áp dương hoặc tải.
-
Chân Emitter (E): Chân kết nối với nguồn điện âm hoặc đất (ground).
IGBT này được thiết kế để hoạt động hiệu quả ở các mức công suất lớn, với khả năng chịu nhiệt và dòng điện cao, giúp cải thiện hiệu suất và tuổi thọ của mạch điện.

🔹 Thông số kỹ thuật

| Thông số | Giá trị |
|---|---|
| Loại IGBT | NPN-type IGBT |
| Dòng điện tối đa (Ic) | 600A |
| Điện áp ngược tối đa (Vce) | 1200V |
| Tốc độ chuyển mạch | Cao, phù hợp với tần số cao |
| Điện áp mở (Vce_sat) | Thấp (~1.8V tại 600A) |
| Tần số hoạt động | 20kHz đến vài MHz |
| Nhiệt độ hoạt động | -40°C đến 150°C |
| Kiểu đóng gói | Module 2MBI (Dạng module lớn) |
| Chế độ bảo vệ | Chống quá nhiệt, quá dòng |
🔹 Kiểu chân & Chức năng chân
IGBT 2MBI600VN-120-50 có thiết kế chân module đặc biệt, với các chân được đánh số như sau:
| Chân | Chức năng |
|---|---|
| 1 | Gate (G): Chân điều khiển, kết nối với mạch điều khiển tín hiệu. |
| 2 | Collector (C): Chân kết nối với nguồn điện áp dương hoặc tải. |
| 3 | Emitter (E): Chân kết nối với nguồn điện âm hoặc đất (ground). |
Các chân này cho phép 2MBI600VN-120-50 hoạt động hiệu quả trong các mạch công suất và hệ thống điều khiển động cơ, bộ biến tần, và các ứng dụng công nghiệp.
🔹 Chức năng linh kiện
-
Chuyển mạch nhanh: IGBT cho phép chuyển mạch với tốc độ cao, giúp điều khiển các ứng dụng công suất nhanh chóng và chính xác.
-
Hiệu suất cao: Nhờ vào khả năng chịu dòng lớn và điện áp ngược cao, 2MBI600VN-120-50 có thể hoạt động hiệu quả trong các ứng dụng công suất lớn mà không gặp phải quá tải.
-
Bảo vệ quá nhiệt và quá dòng: IGBT này được trang bị khả năng bảo vệ chống lại quá dòng và quá nhiệt, giúp đảm bảo tính ổn định và tuổi thọ của linh kiện.
-
Tăng hiệu suất hệ thống: Với hiệu suất chuyển mạch nhanh và khả năng điều khiển điện áp thấp, IGBT này giúp giảm tổn thất năng lượng và cải thiện hiệu suất của các hệ thống điều khiển động cơ, bộ biến tần.
🔹 Ứng dụng
2MBI600VN-120-50 được sử dụng trong các ứng dụng công nghiệp và điện tử yêu cầu khả năng điều khiển công suất lớn, bao gồm:
-
Biến tần (Inverter): Được sử dụng trong các bộ biến tần cho hệ thống điều khiển động cơ, máy bơm, quạt công nghiệp, và các ứng dụng công suất cao khác.
-
Điều khiển động cơ: IGBT này thường được sử dụng trong các ứng dụng điều khiển động cơ AC và DC, giúp điều khiển tốc độ và mô-men xoắn của động cơ.
-
Hệ thống năng lượng tái tạo: Ứng dụng trong các mạch chuyển mạch của hệ thống năng lượng mặt trời và các hệ thống điện công suất cao.
-
Công nghiệp điện tử: Dùng trong các thiết bị công nghiệp yêu cầu điều khiển dòng điện và điện áp lớn như máy hàn, máy CNC, và các thiết bị công nghiệp khác.
-
Hệ thống điện lưới: IGBT được sử dụng trong các mạch chuyển mạch của hệ thống điện lưới để điều chỉnh dòng điện và điện áp.
🔹 Kích thước (Package)
IGBT 2MBI600VN-120-50 sử dụng dạng đóng gói Module 2MBI, với các kích thước tiêu chuẩn như sau:
| Thông số | Giá trị |
|---|---|
| Kích thước | 81.5mm x 58mm x 41mm |
| Khối lượng | Khoảng 500g – 700g |
| Số chân kết nối | 3 (Gate, Collector, Emitter) |
| Khoảng cách giữa các chân | Theo tiêu chuẩn đóng gói module 2MBI |

🔹 Cách đo đạc kiểm tra
A. Kiểm tra điện áp mở (Vce_sat)
-
Kiểm tra điện áp Vce_sat:
-
Đo điện áp giữa chân Collector (C) và Emitter (E) khi IGBT đang dẫn dòng (kích hoạt Gate). Điện áp mở Vce_sat nên nhỏ hơn 2V (thường ở mức khoảng 1.8V tại 600A).
-
B. Kiểm tra dòng và điện áp ngược
-
Kiểm tra điện áp ngược:
-
Đo điện áp ngược giữa chân Collector và Emitter khi IGBT đang tắt (Gate không có tín hiệu điều khiển). Đảm bảo rằng điện áp không vượt quá 1200V.
-
-
Kiểm tra dòng ngược:
-
Đo dòng ngược giữa Collector và Emitter. Dòng ngược phải rất nhỏ, trong phạm vi nanoamperes (nA) hoặc picoamperes (pA).
-
C. Kiểm tra hiệu suất chuyển mạch
-
Kiểm tra tần số chuyển mạch:
-
Đo tốc độ chuyển mạch của IGBT trong các mạch điều khiển tốc độ cao. IGBT này có thể hoạt động tốt ở tần số lên đến vài kHz đến MHz, tùy thuộc vào điều kiện và mạch điện.
-
-
Kiểm tra khả năng dẫn dòng:
-
Đảm bảo rằng IGBT có thể dẫn dòng lên đến 600A mà không bị quá nhiệt hoặc hư hỏng.
-
D. Kiểm tra tản nhiệt và quá nhiệt
-
Kiểm tra hệ thống tản nhiệt:
-
Đảm bảo rằng IGBT có một hệ thống tản nhiệt hiệu quả. Nếu không có tản nhiệt, IGBT có thể bị quá nhiệt khi hoạt động với công suất cao.
-















