IGBT G160N60, G160N60UFD 160A 600V TO-264

120.000₫

Mã sản phẩm: G160N60UFD

Điện áp: 600V

Dòng điện: 160A

Kiểu chân: TO-264

Hình thức: Mới

Tình trạng: Còn hàng

Hỗ trợ trực tuyến
Kinh doanh : 0333595662
Kĩ thuật viên : 0979578581
(Giờ làm việc: 8h đến 18h từ T2-T7 )
Chú ý: Chỉ gửi đơn hàng tối thiểu 50.000 vnđ

1. Khái niệm & thông số cơ bản

RJH60F7 là IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) công suất, thường được hãng ROHM Semiconductor sản xuất.
Điện áp chịu đựng: 600V
Dòng cực thu liên tục: 160A (tùy gói TO-247).
Được tích hợp diode chống song song (Freewheeling Diode).
Thường dùng trong nguồn xung, biến tần, máy hàn, PFC.

2. Cấu tạo

Bên trong IGBT:
- MOSFET ở tầng đầu → điều khiển bằng điện áp gate.
- Transistor BJT công suất ở tầng sau → chịu dòng tải lớn.
Có 3 cực chính:
- G (Gate): cực điều khiển, cách ly, chỉ cần nạp điện tích.
- C (Collector): cực thu, nối nguồn công suất.
- E (Emitter): cực phát, nối tải.
Diode song song C–E để dẫn dòng ngược khi tải cảm.

kt to 264

3. Chức năng & ưu điểm

Chịu áp cao (600V), dòng lớn (280A).
Điều khiển bằng điện áp, tiêu thụ dòng kích rất nhỏ.
Tốc độ đóng cắt cao (tần số vài chục kHz) → phù hợp cho nguồn xung và biến tần.
Tổn hao thấp, hiệu suất cao, sinh nhiệt ít hơn BJT truyền thống.

4. Ứng dụng thực tế

Biến tần điều khiển động cơ AC, servo.
Máy hàn điện tử (cầu nghịch lưu).
Nguồn xung công suất lớn (SMPS, UPS, PFC).
Điện mặt trời, bộ nghịch lưu pin, bộ sạc xe điện.
Thiết bị gia nhiệt cảm ứng, y tế, công nghiệp cao áp.

Xem thêm: Dịch vụ sửa biến tần uy tín

5. Cách đo IGBT RJH60F7 bằng đồng hồ kim

a. Nguyên tắc

Đồng hồ kim có pin trong, khi đo que đỏ thường là cực âm (–), que đen là cực dương (+).
Có thể kiểm tra: diode nội, cách ly cổng, và khả năng mở khi kích gate.

b. Các bước đo

(1) Đo diode nội (C–E)

Đặt que đen (+) vào C, que đỏ (–) vào E → kim lên khoảng 10–50Ω (tương ứng 0.3–0.5V).
Đổi ngược → kim không lên (OL).

👉 Nếu kim lên cả 2 chiều → diode chập, IGBT hỏng.

2) Đo cách ly Gate (G–C, G–E)

Đo giữa G và C, G và E → kim không lên (cách điện).
Nếu kim lên → rò gate → hỏng.

(3) Thử khả năng dẫn bằng kích Gate

Đặt que đen (+) vào C, que đỏ (–) vào E. → Lúc đầu kim không lên (IGBT đang khóa).
Dùng que đen (+) chạm nhanh vào G, que đỏ (–) vào E một thoáng → nạp điện tích vào Gate.
Đo lại C–E (đen ở C, đỏ ở E) → kim sẽ lên (IGBT mở).
Xả gate: chạm G và E với nhau → đo lại C–E, kim trở về không lên.