G60N100, G60N100BNTD IGBT 60A/1000V TO-3P ( Tháo máy)

Giới thiệu IGBT G60N100BNTD

Con G60N100 là một loại IGBT công suất rất phổ biến, thường gặp trong các bo biến tần, máy hàn điện tử, UPS công nghiệp. Đây là dòng IGBT có điện áp chịu đựng cao (1000V) và dòng lớn (khoảng 60A).

Thông số kỹ thuật IGBT G60N100BNTD

1. Loại MOSFET: N-channel
2. Điện áp cực đại (Vds): 1000V (1kV)
3. Dòng cực đại (Id): 60A
4. Điện trở khi bật (Rds(on)): Khoảng 0.25Ω (tại Vgs = 10V)
5. Điện áp cổng-kênh tối thiểu để bật (Vgs(th)): 3.0V đến 5.0V
6. Công suất tỏa nhiệt tối đa (Pd): 125W (tại nhiệt độ môi trường 25°C với điều kiện làm mát tốt)
7. Nhiệt độ hoạt động (Tj): -55°C đến +150°C

Cấu tạo IGBT G60N100BNTD

• Thuộc họ IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor):
  • Cực G (Gate): cổng điều khiển, dạng MOS, cách ly.
  • Cực C (Collector): cực thu, nơi dòng điện chính đi vào.
  • Cực E (Emitter): cực phát, nơi dòng chính đi ra.
• Bên trong tích hợp diode hồi tiếp (Freewheeling Diode) song song CE, dùng trong nghịch lưu.
• Gồm 2 phần chính:
  1. MOSFET tầng đầu: tạo điều kiện điều khiển bằng điện áp.
  2. Transistor lưỡng cực (BJT) tầng sau: chịu tải dòng lớn, điện áp cao.

Đặc điểm IGBT G60N100BNTD

• Điện áp cực đại cao: G60N100BNTD có khả năng chịu đựng điện áp cực đại lên tới 1000V, làm cho nó phù hợp cho các ứng dụng yêu cầu điện áp cao.
• Dòng điện lớn: Có khả năng xử lý dòng điện lên tới 60A, lý tưởng cho các ứng dụng công suất lớn.
• Điện trở khi bật thấp: Với Rds(on) thấp, nó giúp giảm tổn thất năng lượng trong quá trình chuyển mạch.
• Tản nhiệt: Với công suất tỏa nhiệt tối đa là 125W, cần phải có thiết kế tản nhiệt hiệu quả để duy trì hiệu suất ổn định.

xem thêm: dịch vụ sửa biến tần

Ứng dụng IGBT G60N100BNTD

• Nguồn điện công suất: Phù hợp cho các thiết bị yêu cầu công suất cao và điện áp lớn.
• Chuyển mạch công suất: Dùng trong các mạch chuyển mạch, bộ điều khiển động cơ, và các ứng dụng công nghiệp khác.
• Ứng dụng trong các mạch điều khiển: Thích hợp cho các mạch điều khiển điện áp và dòng điện cao.

Cách đo kiểm tra G60N100 (IGBT)

Dùng đồng hồ số có thang diode:

a. Đo diode tích hợp (C–E)

• Que đỏ (+) vào C, que đen (–) vào E → đồng hồ báo ~0.3–0.5V (diode thuận).

• Đổi ngược → phải OL (không dẫn).

b. Đo cách ly cổng (G–E và G–C)

• Đặt que đo giữa G với E, G với C → phải OL (cách điện).

• Nếu đo thấy vài trăm Ω hoặc thấp → IGBT hỏng (rò gate).

c. Kích Gate để thử dẫn

1. Chạm que đỏ (+) vào G, que đen (–) vào E một thoáng → nạp điện vào cổng (IGBT mở).

2. Sau đó đo C–E (C dương, E âm) → sẽ thấy dẫn (kháng nhỏ vài chục Ω).

3. Xả gate bằng cách chạm G và E → đo lại C–E → trở lại OL.

👉 Nếu IGBT luôn thông (C–E thấp) hoặc không mở được → linh kiện hỏng.

Xem thêm : các sản phẩm IGBT khác tại đây

Datasheet G60N100BNTD