Giới thiệu
– Đây là dòng IGBT kênh N.
Đặc trưng
– Diode thân nguyên khối mạnh mẽ với điện áp chuyển tiếp rất thấp
– Thân diode kẹp điện áp âm
– Công nghệ TrenchStop và Fieldstop cho các ứng dụng 1200 V cung cấp:
– phân phối tham số rất chặt chẽ
– độ chắc chắn cao, hoạt động ổn định nhiệt độ
– Công nghệ NPT cung cấp khả năng chuyển đổi song song dễ dàng do hệ số nhiệt độ dương tính bằng VCE (sat).
– EMI thấp.
– Đủ tiêu chuẩn theo JEDEC1 cho các ứng dụng mục tiêu.
– Mạ chì không chứa pb; Tuân thủ RoHS.
Ứng dụng
– Ứng dụng chuyển mạch mềm.
Cấu tạo H20R1202
Kích thước H20R1202
Bảng thông số H20R1202
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.