20N120B, IXGH20N120BD1 IGBT 20A 1200V TO-3P

67.000₫

Mã sản phẩm : IXGH20N120BD1

Loại linh kiện: IGBT

Kiểu chân: TO-3P

Hình thức : Mới

Tình trạng : Còn hàng

Đã cập nhật

Hỗ trợ trực tuyến
Kinh doanh : 0333595662
Kĩ thuật viên : 0979578581
(Giờ làm việc: 8h đến 18h từ T2-T7 )
Chú ý: Chỉ gửi đơn hàng tối thiểu 50.000vnd và chưa bao gồm phí vận chuyển (Đội ngũ nhân viên lên đơn sẽ liên hệ với khách hàng thông báo chi phí vận chuyển khi đơn hàng được đặt thành công).

1. Giới thiệu về IXGH20N120BD1 / 20N120B

IXGH20N120BD1 là một loại IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), viết tắt là Transistor lưỡng cực có cổng cách ly. Đây là linh kiện bán dẫn kết hợp giữa MOSFET và BJT, cho phép điều khiển dòng điện lớn bằng tín hiệu điện áp nhỏ.

Dòng điện cực đại (IC): 20A
Điện áp cực đại (VCE): 1200V
Công suất tỏa nhiệt tối đa (PC): 190W
Nhiệt độ hoạt động tối đa: 150°C
Điện áp cực-gate cực đại (VGE): ±20V
Tốc độ chuyển mạch: rất nhanh, phù hợp cho các ứng dụng yêu cầu chuyển mạch cao.

2. Cấu tạo của IXGH20N120BD1 / 20N120B

Linh kiện này được cấu tạo từ các lớp bán dẫn và được đóng gói trong vỏ TO-3P. Cấu trúc bên trong bao gồm:

MOSFET: giúp điều khiển bằng điện áp nhỏ (Gate).
BJT: chịu được dòng điện lớn và công suất cao (Collector → Emitter).

Đóng gói: TO-3P – là loại vỏ nhựa có 3 chân, dễ dàng gắn vào mạch và tản nhiệt tốt.

3. Thông số kỹ thuật của IXGH20N120BD1 / 20N120B

Thong so ki thuat 20n120b

Thông số kỹ thuật	Giá trị	Giải thích cho người mới
Điện áp cực đại (VCE)	1200V	Điện áp lớn nhất cho phép giữa Collector và Emitter
Dòng điện cực đại (IC)	20A	Dòng lớn nhất có thể chạy qua IGBT
Công suất tỏa nhiệt tối đa (PC)	190W	Công suất tối đa mà IGBT có thể tỏa ra mà không bị hỏng
Nhiệt độ hoạt động tối đa	150°C	Nhiệt độ cao nhất mà IGBT có thể hoạt động mà không bị hỏng
Điện áp cực-gate cực đại (VGE)	±20V	Điện áp tối đa có thể cấp vào Gate
Thời gian chuyển mạch (tf)	380 ns	Thời gian để chuyển từ trạng thái mở sang đóng hoặc ngược lại
VCE(sat)	2.0V	Điện áp rơi giữa Collector và Emitter khi IGBT mở
Tổn thất chuyển mạch (Eon/Eoff)	0.90 mJ / 0.95 mJ	Năng lượng mất đi khi bật/tắt

4. Kiểu chân và chức năng của IXGH20N120BD1 / 20N120B

TO 3P 2

IGBT TO-3P có 3 chân, nhìn từ phía trước vỏ nhựa có nhãn:

Chân 1 – Gate (G):
- Nhận tín hiệu điều khiển.
- Cấp điện áp nhỏ vào đây để bật/tắt IGBT.
Chân 2 – Collector (C):
- Nối với nguồn điện dương hoặc tải chính.
Chân 3 – Emitter (E):
- Nối với nguồn điện âm hoặc tải.

5. Chức năng của linh kiện IXGH20N120BD1 / 20N120B

Điều khiển dòng điện lớn: Dùng tín hiệu nhỏ từ vi điều khiển hoặc mạch điều khiển bật/tắt dòng điện lớn.
Chuyển mạch nhanh: Mở/đóng trong vài micro giây.
Bảo vệ mạch: Một số loại IGBT có diode bên trong chống ngược dòng.
Tiết kiệm năng lượng: Nhờ điện áp rơi thấp và chuyển mạch nhanh, ít tỏa nhiệt.

6. Ứng dụng của IXGH20N120BD1 / 20N120B

Điều khiển động cơ AC/DC: ví dụ motor máy in, máy bơm, quạt công nghiệp.
Nguồn điện công suất cao: nguồn máy hàn, biến áp công nghiệp.
Bộ biến tần, UPS, mạch sạc pin: chuyển đổi điện áp, điều khiển công suất.

7. Kích thước của IXGH20N120BD1 / 20N120B

KT TO 3P 2

Dạng vỏ: TO-3P
Số chân: 3
Chiều dài x rộng x cao: chuẩn TO-3P (khoảng 15mm x 20mm x 7mm, chân dài ~15mm)
Lưu ý: phần tản nhiệt có thể bắt vào tấm nhôm hoặc tản nhiệt để giảm nhiệt độ khi chạy dòng lớn.

8. Cách đo kiểm tra IXGH20N120BD1 / 20N120B

Kiểm tra thông mạch cơ bản:
- Dùng đồng hồ vạn năng chế độ diode
- Chân Gate → Collector, Gate → Emitter, Collector → Emitter
- Không được thông mạch theo chiều ngược nếu không cấp tín hiệu Gate
Kiểm tra điện áp rơi VCE(sat):
- Cấp điện áp Gate đủ để mở IGBT
- Đo điện áp giữa Collector → Emitter
- Nếu VCE nhỏ (≈2V), IGBT còn tốt
Kiểm tra tốc độ chuyển mạch (cho người đã có oscilloscope):
- Quan sát tín hiệu Gate, Collector, Emitter
- IGBT phải bật/tắt nhanh (micro giây)