🔎 1. Giới thiệu IGBT FGA25N120

FGA25N120 là một IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) công suất cao, do hãng Fairchild Semiconductor (nay là ON Semiconductor) sản xuất.

• Điện áp chịu đựng: 1200V

• Dòng cực thu liên tục: 25A

• Đóng gói: TO-3P (loại 3 chân, tản nhiệt tốt).

• Tích hợp diode hồi tiếp (Freewheeling Diode) → chuyên dùng trong biến tần, UPS, máy hàn điện tử, nguồn công suất cao.

🔎 2. Cấu tạo IGBT FGA25N120

• Gồm 2 phần kết hợp:

  • MOSFET (tầng điều khiển) → cho phép điều khiển bằng điện áp Gate.

  • BJT công suất (tầng công suất) → chịu tải dòng lớn, áp cao.

• Diode song song C–E tích hợp sẵn, bảo vệ khi đóng cắt tải cảm (motor, biến áp).

• Ba cực chính:

  • G (Gate): cổng điều khiển, cách ly.

  • C (Collector): cực thu, nối nguồn DC bus.

  • E (Emitter): cực phát, nối ra tải hoặc mass.

🔎 3. Thông số kỹ thuật chính của IGBT FGA25N120

(Theo datasheet FGA25N120)

• Vce (Collector–Emitter Voltage): 1200V

• Ic (Collector Current, liên tục): 25A (Tc = 25°C)

• Icm (Collector Current, xung): 50A

• Vce(sat) (Collector–Emitter Saturation Voltage): ~2.0V @ Ic = 12.5A, Vge = 15V

• Vge (Gate–Emitter Voltage): ±20V (khuyến nghị điều khiển ±15V)

• Tần số đóng cắt: 20 – 30 kHz (phụ thuộc mạch driver).

• Tj (Nhiệt độ hoạt động): –55°C → +150°C

🔎 4. Kích thước chân TO-3P của IGBT FGA25N120

• Chiều cao: ~20 mm

• Chiều rộng: ~15 mm

• Chiều dày: ~5 mm

• Khoảng cách lỗ bắt vít tản nhiệt: 5 mm

• Khoảng cách chân: 5 mm (chuẩn TO-3P)

👉 TO-3P có bề mặt kim loại lớn phía sau để gắn vào tản nhiệt.

🔎 5. Chức năng

• Đóng cắt dòng điện công suất lớn với tổn hao thấp.

• Chịu được áp DC bus đến 800–1000V.

• Điều khiển dễ dàng bằng điện áp cổng (Gate).

• Ứng dụng trong các mạch nghịch lưu, biến tần, nguồn công suất cao.

🔎 6. Ứng dụng

• Biến tần công nghiệp, điều khiển động cơ AC/servo.

• Máy hàn điện tử (IGBT Inverter Welder).

• Nguồn xung công suất lớn, UPS, PFC.

• Điện mặt trời, bộ nghịch lưu DC–AC, sạc xe điện.

• Thiết bị gia nhiệt cảm ứng, y tế, công nghiệp.

🔎 7. Cách đo FGA25N120 bằng đồng hồ kim

a. Nguyên tắc

• Đồng hồ kim: que đen = (+), que đỏ = (–).

• Có thể kiểm tra diode nội, cách ly Gate, và khả năng dẫn khi kích Gate.

b. Các bước đo

(1) Đo diode nội (C–E)

• Que đen (+) vào C, que đỏ (–) vào E → kim lên (0.3–0.5V).

• Đổi ngược → kim không lên.
  👉 Nếu kim lên cả 2 chiều → diode chập → IGBT hỏng.

(2) Đo cách ly Gate (G–C, G–E)

• Đo G–E, G–C → kim không lên (OL).
  👉 Nếu kim lên → Gate bị rò → IGBT hỏng.

(3) Thử dẫn bằng kích Gate

1. Đặt que đen (+) vào C, que đỏ (–) vào E → kim không lên (IGBT khóa).

2. Chạm nhanh que đen (+) vào G, que đỏ (–) vào E → nạp điện cho Gate.

3. Đo lại C–E (đen ở C, đỏ ở E) → kim lên (IGBT mở).

4. Xả Gate: chạm G và E với nhau → đo lại C–E → kim không lên (IGBT trở về khóa).

👉 Nếu không mở được, hoặc mở mà không tắt được → IGBT hỏng.

✅ Tóm lại: FGA25N120 là IGBT công suất 25A – 1200V, gói TO-3P, thường dùng trong máy hàn điện tử, biến tần, UPS, năng lượng tái tạo. Việc đo bằng đồng hồ kim giúp xác định IGBT còn tốt hay đã hỏng (chập, rò, hở, mất khả năng dẫn).

Xem thêm những sản phẩm IGBT khác tại đây

Datasheet của FGA25N120