1. Giới thiệu linh kiện K25T120, IKW25N120T IGBT 25A 1200V TO-3P (Mới)
K25T120, IKW25N120T IGBT 25A 1200V TO-3P (Mới) là transistor lưỡng cực có cổng cách ly (IGBT) dùng trong các mạch công suất vừa và cao. Linh kiện có dòng điện cực đại 25A và điện áp cực đại 1200V, thích hợp cho bộ nguồn, biến tần, điều khiển động cơ và các ứng dụng công nghiệp. Phiên bản Mới đảm bảo hiệu suất cao và tuổi thọ dài.

2. Cấu tạo linh kiện K25T120, IKW25N120T IGBT 25A 1200V TO-3P (Mới)
-
Gói: TO-3P (3 chân + tản nhiệt).
-
Chân chính:
-
Collector (C): cực thu
-
Emitter (E): cực phát
-
Gate (G): cổng điều khiển
-
-
Có diode phục hồi nhanh (FRD) tích hợp giữa Emitter và Collector.
-
Cấu trúc N-channel silicon, chịu dòng lớn và điện áp 1200V.
3. Thông số kỹ thuật K25T120, IKW25N120T IGBT 25A 1200V TO-3P (Mới)

-
Điện áp cực đại VCEV_CE: 1200V
-
Dòng điện cực đại liên tục ICI_C: 25A
-
Dòng xung cực đại ICI_C (1ms): ~50A
-
Công suất tiêu tán PCP_C: ~180–200W
-
Điện áp Gate-Emitter tối đa VGEV_GE: ±20V
-
Điện áp bão hòa Collector-Emitter VCE(sat)V_CE(sat): ~2.0–2.5V
-
Nhiệt độ hoạt động TjT_j: -55°C đến 150°C
-
Thời gian chuyển mạch: ~0.1 μs
-
Trở kháng nhiệt IGBT: ~0.55°C/W
4. Kiểu chân và chức năng K25T120, IKW25N120T IGBT 25A 1200V TO-3P (Mới)

-
Chân 1 – Collector (C): Nối cực thu với tải
-
Chân 2 – Emitter (E): Nối cực phát (mass hoặc ngược điện áp)
-
Chân 3 – Gate (G): Cổng điều khiển tín hiệu
Gate điều khiển dòng giữa Collector và Emitter, cho phép bật/tắt dòng lớn bằng tín hiệu điện áp nhỏ.
5. Chức năng linh kiện K25T120, IKW25N120T IGBT 25A 1200V TO-3P (Mới)
-
Hoạt động như công tắc điện tử
-
Khi Gate có điện áp dương: transistor dẫn điện, dòng lớn đi qua Collector → Emitter
-
Khi Gate 0V: transistor ngừng dẫn, dòng điện bị chặn
-
Điều khiển dòng điện lớn bằng tín hiệu nhỏ, giảm tổn thất và tăng hiệu suất chuyển mạch
6. Ứng dụng K25T120, IKW25N120T IGBT 25A 1200V TO-3P (Mới)
-
Bộ nguồn công suất vừa và cao
-
Biến tần điều khiển động cơ AC/DC
-
Bộ nghịch lưu (Inverter) năng lượng tái tạo
-
Điều khiển động cơ servo và robot công nghiệp
-
Các mạch công nghiệp cần chuyển mạch nhanh và hiệu suất cao
7. Kích thước K25T120, IKW25N120T IGBT 25A 1200V TO-3P (Mới)

-
Gói TO-3P: 3 chân + tản nhiệt
-
Chiều dài: ~22 mm
-
Chiều rộng: ~20 mm
-
Chiều cao: ~7 mm (không tính tản nhiệt)
-
Trọng lượng: ~10–12g
8. Cách đo kiểm tra sống chết K25T120, IKW25N120T IGBT 25A 1200V TO-3P (Mới)
-
Đo điện trở giữa các chân:
-
Gate → Emitter, Gate → Collector phải rất lớn (vô cùng lớn)
-
-
Đo V_CE khi dẫn:
-
Cấp điện áp Gate → V_CE < 2.5V
-
-
Kiểm tra ngắt:
-
Ngắt điện áp Gate → transistor ngừng dẫn
-
-
Đo thời gian chuyển mạch:
-
Thời gian bật/tắt <1 μs
-
-
Nếu kết quả không đạt: linh kiện hỏng, cần thay thế











