IRF610 Mosfet kênh N 3.3A 200V TO-220

Ritech.vn là đơn vị chuyên cung cấp Mosfet IRF610 với chất lượng tốt và giá cả hợp lý đảm bảo cung cấp số lượng lớn đáp ứng nhu cầu của mọi khách hàng.

Giới thiệu

• IRF610 là transistor công suất kênh N về cơ bản được thiết kế để sử dụng trong các ứng dụng tốc độ cao như nguồn điện liên tục, nguồn chuyển mạch, bộ điều khiển động cơ, bộ chuyển đổi, … Tải tối đa mà transistor này có thể điều khiển là 3,3A và điện áp tải có thể lên đến 200V. Dòng xung cực máng tối đa mà transistor này có thể điều khiển là 8A và công suất tiêu tán tối đa là 43W.
• Ngoài ra còn có các transistor khác trong chuỗi cùng với nó này là IRF611, IRF612, IRF613. Các transistor này hơi khác nhau một chút nhưng có thể được sử dụng tương đương nếu IRF610 không có sẵn.
• MOSFET này có thể được lấy trực tiếp từ đầu ra của các chip điện tử và cũng có nguồn gốc từ đầu ra của nhiều nền tảng điện tử.
• Ngoài ra, nó cũng có thể được sử dụng như một bộ khuếch đại âm thanh và cả trong các tầng khuếch đại âm thanh.

Mô tả

• Chỉ định loại: IRF610
• Loại Transistor: MOSFET
• Loại kênh điều khiển: N -Channel
• Tản điện tối đa (Pd): 36 W
• Điện áp nguồn xả tối đa |Vds|: 200 V
• Điện áp nguồn cổng tối đa |Vgs|: 20 V
• Điện áp ngưỡng cổng tối đa |Vgs(th)|: 4 V
• Dòng xả tối đa |Id|: 3,3 A
• Nhiệt độ tiếp giáp tối đa (Tj): 150 °C
• Tổng phí cổng (Qg): 8,2 (tối đa) nC
• Thời gian tăng (tr): 17 nS
• Điện dung nguồn thoát nước (Cd): 53 pF
• Điện trở trạng thái nguồn xả tối đa (Rds): 1,5 Ohm

Ứng dụng

• Ứng dụng viễn thông
• Ứng dụng điện áp cao
• Các ứng dụng điều khiển relay
• Bộ chuyển đổi DC sang DC

Xem thêm: Các sản phẩm Mosfet khác

Hình ảnh sản phẩm

Thông số kỹ thuật của Mosfet IRF610

Sơ đồ chân

Kích thước của Mosfet IRF610

Datasheet IRF610