40T120FDS, MBQ40T120FDHA IGBT 40A-1200V TO-3P

38.000₫

Đã bán: 2

Mã sản phẩm : 40T120FDS

Loại linh kiện: IGBT

Kiểu chân: TO-3P

Điện áp: 1200V

Dòng điện: 40A

Hình thức : Mới

Tình trạng : Còn hàng

Vị trí: 21-12

Hỗ trợ trực tuyến
Kinh doanh : 0973549046
Kĩ thuật viên : 0979578581
(Giờ làm việc: 8h đến 18h từ T2-T7 )
Chú ý: Chỉ gửi đơn hàng tối thiểu 50.000 vnđ

1. Giới thiệu linh kiện 40T120FDS, MBQ40T120FDHA IGBT 40A/1200V TO-3P (Mới)

40T120FDS, MBQ40T120FDHA IGBT 40A/1200V TO-3P (Mới) là transistor lưỡng cực có cổng cách ly (IGBT) dùng trong các mạch công suất vừa và cao. Linh kiện có dòng điện cực đại 40A và điện áp cực đại 1200V, thích hợp cho bộ nguồn, biến tần, điều khiển động cơ, UPS, và các ứng dụng điện tử công suất công nghiệp. Gói TO-3P hỗ trợ tản nhiệt hiệu quả với tấm tản nhiệt bắt vít.

40T120FDS 2 1

2. Cấu tạo linh kiện 40T120FDS, MBQ40T120FDHA IGBT 40A/1200V TO-3P (Mới)

Gói: TO-3P (3 chân + tản nhiệt lớn).
Chân chính:
- Collector (C): cực thu
- Emitter (E): cực phát
- Gate (G): cổng điều khiển
Có diode phục hồi nhanh (FRD) tích hợp giữa Emitter và Collector.
Cấu trúc N-channel silicon, chịu dòng lớn 40A và điện áp 1200V.

3. Thông số kỹ thuật 40T120FDS, MBQ40T120FDHA IGBT 40A/1200V TO-3P (Mới)

Điện áp cực đại $V_CE$ : 1200V
Dòng điện cực đại liên tục $I_C$ : 40A
Dòng xung cực đại $I_C$ (1ms): ~80A
Công suất tiêu tán $P_C$ : ~200–250W
Điện áp Gate-Emitter tối đa $V_GE$ : ±20V
Điện áp bão hòa Collector-Emitter $V_CE(sat)$ : ~2.0–2.5V
Nhiệt độ hoạt động $T_j$ : -55°C đến 150°C
Thời gian chuyển mạch: ~0.1 μs
Trở kháng nhiệt IGBT: ~0.55°C/W

4. Kiểu chân và chức năng 40T120FDS, MBQ40T120FDHA IGBT 40A/1200V TO-3P (Mới)

Cau truc kenh N 1 1

Chân 1 – Collector (C): Nối cực thu với tải
Chân 2 – Emitter (E): Nối cực phát (mass hoặc ngược điện áp)
Chân 3 – Gate (G): Cổng điều khiển tín hiệu

Tab tản nhiệt của TO-3P nối Collector, giúp tản nhiệt hiệu quả khi bắt ốc với tấm tản nhiệt.

5. Chức năng linh kiện 40T120FDS, MBQ40T120FDHA IGBT 40A/1200V TO-3P (Mới)

Hoạt động như công tắc điện tử
Khi Gate có điện áp dương: transistor dẫn điện, dòng lớn đi qua Collector → Emitter
Khi Gate 0V: transistor ngừng dẫn, dòng điện bị chặn
Điều khiển dòng điện lớn bằng tín hiệu nhỏ, giảm tổn thất và tăng hiệu suất chuyển mạch

6. Ứng dụng 40T120FDS, MBQ40T120FDHA IGBT 40A/1200V TO-3P (Mới)

Bộ nguồn công suất vừa và cao
Biến tần điều khiển động cơ AC/DC công nghiệp
Bộ nghịch lưu (Inverter) năng lượng tái tạo
Điều khiển động cơ servo và robot công nghiệp
Các mạch công nghiệp cần chuyển mạch nhanh và chịu dòng lớn

7. Kích thước 40T120FDS, MBQ40T120FDHA IGBT 40A/1200V TO-3P (Mới)

to 3pl 5

Gói TO-3P: 3 chân + tản nhiệt
Chiều dài: ~22 mm
Chiều rộng: ~20 mm
Chiều cao: ~7 mm (không tính tản nhiệt)
Trọng lượng: ~12–15g

8. Cách đo kiểm tra sống chết 40T120FDS, MBQ40T120FDHA IGBT 40A/1200V TO-3P (Mới)

Đo điện trở giữa các chân:
- Gate → Emitter, Gate → Collector phải rất lớn (vô cùng lớn)
Đo V_CE khi dẫn:
- Cấp điện áp Gate → V_CE < 2.5V
Kiểm tra ngắt:
- Ngắt điện áp Gate → transistor ngừng dẫn
Đo thời gian chuyển mạch:
- Thời gian bật/tắt <1 μs
Nếu kết quả không đạt: linh kiện hỏng, cần thay thế