Giới thiệu
– Đây là dòng IGBT kênh N.
Đặc trưng
– Trở kháng đầu vào cao.
– Tốc độ cao: tf = 0,3µs (Tối đa).
– Điện áp bão hòa thấp : VCE (sat) = 3.6V (Tối đa).
– Các điện cực được cách ly với vỏ máy.
Ứng dụng
– Dùng cho các ứng dụng chuyển mạch nhanh như biến tần, servo…
Cấu tạo MG200Q1US51

Kích thước MG200Q1US51

Bảng thông số MG200Q1US51










Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.