Mosfet Kênh N IRFP240 20A 200V TO-247AC

26.000₫

Đã bán: 6

Mã sản phẩm: IRFP240

Loại linh kiện: Mosfet

Dòng điện: 20A

Điện áp: 200V

Kiểu chân: TO247

Hình thức: Mới

Tình trạng: Còn hàng

Hỗ trợ trực tuyến
Kinh doanh : 0333595662
Kĩ thuật viên : 0979578581
(Giờ làm việc: 8h đến 18h từ T2-T7 )
Chú ý: Chỉ gửi đơn hàng tối thiểu 50.000 vnđ
Từ ngày 01/01/2026 giá sản phẩm sẽ tăng lên 8% so với giá đang hiển thị, giá vẫn đang được điều chỉnh, mong quý khách hàng thông cảm và ủng hộ cửa hàng.

Mô tả
Đánh giá (0)

Ritech.vn chuyên cung cấp Mosfet IRFP240 mới, với chất lượng tốt giá cả phải chăng có sẵn số lượng lớn đáp ứng nhu cầu của khách hàng.

Giới thiệu

IRFP240 là MOSFET công suất kênh N có sẵn trong gói TO-247. Transistor có các yêu cầu điều khiển đơn giản do đó nó cũng có thể được sử dụng trong các ứng dụng di động và chạy bằng pin điện áp thấp sử dụng nguồn 5V đến 6V. MOSFET có khả năng tiêu hao cao đối với điện áp nguồn lên tới 200V, lý tưởng để sử dụng trong các ứng dụng DC điện áp cao và cả trong các ứng dụng AC. MOSFET cũng có lỗ gắn trung tâm cách ly để cách ly transistor khỏi mạch.

Nó có tốc độ chuyển đổi cao tính bằng nano giây, do đó transistor này có thể được sử dụng trong các ứng dụng yêu cầu chuyển đổi tốc độ rất cao. Ví dụ: trong các mạch mà bạn muốn chuyển tải từ nguồn đầu vào sang nguồn khác mà không bị trễ hoặc tắt nguồn.

RDS THẤP (bật) hoặc điện trở tiêu hao nguồn thấp đảm bảo mức tiêu hao điện năng thấp khi transistor ở trạng thái BẬT.

Các tính năng khác là dễ dàng song song, định mức kiểu thác lặp đi lặp lại, định mức dV/dt động,..

Mô tả

Loại bóng bán dẫn: MOSFET.
Loại kênh điều khiển: N-Kênh.
Công suất tiêu thụ tối đa (Pd): 150W.
Điện áp nguồn xả tối đa | Vds |: 200V.
Điện áp nguồn cổng tối đa | Vgs |: 20V.
Dòng xả tối đa | Id |: 20A.
Nhiệt độ mối nối tối đa (Tj): 150°C.
Tổng phí cổng (Qg): 40 nC.
Thời gian trỗi dậy (tr): 51 nS.
Điện dung nguồn xả (Cd): 380 pF.
Kháng tối đa nguồn xả trên trạng thái (Rds): 0.18 Ohm.
Nhiệt độ hoạt động: -55 đến 150°C.
Kiểu chân: TO-247.

Ứng dụng

MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) là một Transistor hiệu ứng trường đặc biệt có cấu tạo và hoạt động khác với Transistor thông thường.
Mosfet có nguyên tắc hoạt động dựa trên hiệu ứng từ trường để tạo ra dòng điện, là linh kiện có trở kháng đầu vào lớn thích hợp cho khuyếch đại các nguồn tín hiệu yếu.
Mosfet có khả năng đóng nhanh với dòng điện và điện áp khá lớn nên nó được sử dụng nhiều trong các bộ dao động tạo ra từ trường và thường thấy trong các bộ nguồn xung, mạch điều khiển điện áp cao.
Tuỳ theo chức năng và nhu cầu sử dung mà chúng ta sẽ chọn cho mình các sản phẩm sao cho phù hợp.