Giới thiệu
– Đây là dòng IGBT kênh N.
Đặc trưng
– Diode thân nguyên khối mạnh mẽ với điện áp chuyển tiếp rất thấp.
– Thân diode kẹp điện áp âm.
– Công nghệ TrenchStop và Fieldstop cho các ứng dụng 1200 V mang lại: độ chắc chắn cao, hoạt động ổn định nhiệt độ.
– Công nghệ NPT cung cấp khả năng chuyển đổi song song dễ dàng do hệ số nhiệt độ dương tính bằng VCE (sat).
– EMI thấp.
– Đủ tiêu chuẩn theo JEDEC1 cho các ứng dụng mục tiêu.
– Mạ chì không chứa pb; Tuân thủ RoHS.
Ứng dụng
– Dùng cho các ứng dụng chuyển mạch mềm.
Cấu tạo H30R1203
Kích thước H30R1203
Bảng thông số H30R1203
Sản phẩm tương tự
400.000₫
