B11NK50Z, STB11NK50Z Mosfet Kênh-N 500V/10A/125W TO-263
9.500₫
Đã bán: 30
Mã sản phẩm: B11NK50Z
Loại linh kiện: Mosfet
Công suất: 500V/10A/125W
Kiểu chân: TO-263
Hình thức: Mới
Tình trạng: Còn hàng
Hỗ trợ trực tuyến
Kinh doanh : 0333595662
Kĩ thuật viên : 0979578581
(Giờ làm việc: 8h đến 18h từ T2-T7 )
Chú ý: Chỉ gửi đơn hàng tối thiểu 50.000 vnđ
Từ ngày 01/01/2026 giá sản phẩm sẽ tăng lên 8% so với giá đang hiển thị, giá vẫn đang được điều chỉnh, mong quý khách hàng thông cảm và ủng hộ cửa hàng.
Kinh doanh : 0333595662
Kĩ thuật viên : 0979578581
(Giờ làm việc: 8h đến 18h từ T2-T7 )
Chú ý: Chỉ gửi đơn hàng tối thiểu 50.000 vnđ
Từ ngày 01/01/2026 giá sản phẩm sẽ tăng lên 8% so với giá đang hiển thị, giá vẫn đang được điều chỉnh, mong quý khách hàng thông cảm và ủng hộ cửa hàng.
Ritech.vn chuyên cung cấp Mosfet B11NK50Z, với chất lượng tốt và giá cả hợp lý đảm bảo cung cấp số lượng lớn đáp ứng nhu cầu của mọi khách hàng.
Giới thiệu B11NK50Z
Dòng SuperMESHTM có được thông qua một tối ưu hóa tối đa ST được thiết lập tốt bố cục PowerMESHTM dựa trên dải. Ngoài ra đẩy mức kháng cự xuống đáng kể, đặc biệt sự quan tâm được thực hiện để đảm bảo một dv/dt rất tốt khả năng cho các ứng dụng đòi hỏi khắt khe nhất.
Mô tả B11NK50Z
- Ký hiệu loại: STB11NK50Z
- Mã đánh dấu: B11NK50Z
- Loại Transistor: MOSFET
- Loại kênh điều khiển: N -Kênh
- Tản điện tối đa (Pd): 125 W
- Điện áp nguồn xả tối đa |Vds|: 500 V.
- Điện áp nguồn cổng tối đa |Vgs|: 30 V.
- Điện áp ngưỡng cổng tối đa |Vgs(th)|: 4,5 V.
- Dòng xả tối đa |Id|: 10 MỘT
- Nhiệt độ tiếp giáp tối đa (Tj): 150 °C
- Tổng phí cổng (Qg): 49 nC
- Thời gian tăng (tr): 18 nS
- Điện dung nguồn thoát nước (Cd): 173 pF
- Điện trở trạng thái nguồn thoát nước tối đa (Rds): 0,52 Om
Xem thêm: Các sản phẩm Transistor khác
Hình ảnh thực tế B11NK50Z
Sơ đồ chân B11NK50Z
Thông số kỹ thuật của Mosfet B11NK50Z
Kích thước của Mosfet B11NK50Z
Datasheet B11NK50Z
Sản phẩm tương tự
1.250.000₫
302.400₫
210.600₫
540.000₫
