MUR4100E MUR4100 Diode xung 4A 1000V DO-201AD

Mã sản phẩm: MUR4100

Loại linh kiện: Diode

Kiểu chân: DO-15

Hình thức: Mới

Tình trạng: Còn hàng

Vị trí: 47-25

Hỗ trợ trực tuyến
Kinh doanh : 0333595662
Kĩ thuật viên : 0979578581
(Giờ làm việc: 8h đến 18h từ T2-T7 )
Chú ý: Chỉ gửi đơn hàng tối thiểu 50.000 vnđ
Từ ngày 01/01/2026 giá sản phẩm sẽ tăng lên 8% so với giá đang hiển thị, giá vẫn đang được điều chỉnh, mong quý khách hàng thông cảm và ủng hộ cửa hàng.

Mô tả
Đánh giá (0)

1. Giới thiệu MUR4100E

MUR4100E Diode

MUR4100E hay còn được gọi ngắn gọn là MUR4100 là diode xung siêu nhanh (Ultra-Fast Rectifier), có dòng định mức 4A, điện áp ngược cực đại 1000V, và thời gian phục hồi ngược chỉ khoảng 75ns.
Đây là linh kiện thuộc họ MUR4xxx (Motorola Ultra-Fast Recovery), được thiết kế để hoạt động hiệu quả trong các mạch chuyển mạch tần số cao (20–100 kHz), giúp giảm tổn hao năng lượng và cải thiện hiệu suất nguồn.

2. Cấu tạo MUR4100E

Kich thuoc MUR4100E

MUR4100E là diode silicon loại phục hồi nhanh được chế tạo theo công nghệ PN Junction cải tiến, cho phép thời gian tắt (reverse recovery) nhanh gấp nhiều lần diode chỉnh lưu thông thường.
Linh kiện được đóng trong vỏ DO-201AD (ống trụ lớn, hai chân cắm), có khả năng chịu dòng cao và tản nhiệt tốt.

Đặc điểm cấu tạo:

Vật liệu bán dẫn: Silicon (Si)
Loại diode: Ultra-Fast Recovery Rectifier
Vỏ: DO-201AD (ống trụ, 2 chân, thân to hơn DO-41)
Cực âm (Cathode) được đánh dấu bằng vạch bạc trên thân diode
Đóng gói kín bằng nhựa epoxy chịu nhiệt

3. Sơ đồ chân (Pinout)

So do chan MUR4100E

Ký hiệu	Tên chân	Mô tả
A	Anode (Cực dương)	Nối với đầu vào AC hoặc cực dương tải
K	Cathode (Cực âm, có vạch bạc)	Nối với đầu ra DC hoặc cực âm tải

📘 Nguyên lý hoạt động:

Khi phân cực thuận (A dương hơn K): diode dẫn điện → cho dòng đi qua.
Khi phân cực ngược (A âm hơn K): diode ngắt rất nhanh (75ns), bảo vệ mạch khỏi dòng hồi tiếp ngược.

4. Thông số kỹ thuật (Specifications)

Thong so ki thuat MUR4100E

Thông số	Ký hiệu	Giá trị
Dòng chỉnh lưu trung bình	IF(AV)	4A
Điện áp ngược cực đại	VRRM	1000V
Điện áp sụt thuận	VF	1.0V @ IF = 4A
Dòng rò ngược	IR	≤ 10 µA @ VR = 1000V
Dòng đỉnh không lặp	IFSM	150A (8.3ms, nửa chu kỳ)
Thời gian phục hồi ngược	trr	75ns
Nhiệt độ mối nối hoạt động	Tj	-65°C → +175°C
Điện trở nhiệt (Junction–Ambient)	RθJA	25 °C/W
Kiểu vỏ	DO-201AD
Trọng lượng	~1.1 g

5. Chức năng MUR4100E

Chỉnh lưu nhanh: Biến đổi AC → DC trong các mạch tần số cao.
Bảo vệ phần công suất: Ngăn dòng điện hồi ngược trong mạch dùng cuộn cảm, motor hoặc biến áp.
Hỗ trợ chuyển mạch nhanh: Giúp MOSFET/IGBT hoạt động ổn định ở tần số cao.
Giảm nhiễu và tổn hao: Nhờ điện áp sụt thấp và thời gian phục hồi nhanh, diode giảm thất thoát năng lượng khi chuyển mạch.

6. Ứng dụng MUR4100E

Ứng dụng	Mô tả
Nguồn xung (SMPS)	Dùng ở tầng chỉnh lưu đầu ra, đảm bảo đáp ứng nhanh khi tải thay đổi
Biến tần – Inverter	Làm diode hồi tiếp (freewheeling diode) cho MOSFET/IGBT
Bộ sạc nhanh (adapter, charger)	Dùng ở tầng công suất cao, tăng hiệu suất nguồn
Mạch điều khiển motor DC	Bảo vệ phần tử công suất khỏi điện áp hồi tiếp
UPS, bộ nguồn servo, mạch điều khiển công nghiệp	Chỉnh lưu dòng tải cao, đáp ứng nhanh và ổn định