K75T60 IGBT 75A 600V TO-3P

55.500₫

Mã sản phẩm : K75T60

Loại linh kiện: IGBT

Kiểu chân: TO-3P

Hình thức : Mới

Tình trạng : Còn hàng

Hỗ trợ trực tuyến
Kinh doanh : 0333595662
Kĩ thuật viên : 0979578581
(Giờ làm việc: 8h đến 18h từ T2-T7 )
Chú ý: Chỉ gửi đơn hàng tối thiểu 50.000 vnđ
Từ ngày 01/01/2026 giá sản phẩm sẽ tăng lên 8% so với giá đang hiển thị, giá vẫn đang được điều chỉnh, mong quý khách hàng thông cảm và ủng hộ cửa hàng.

1. Giới thiệu linh kiện K75T60 IGBT 75A 600V TO-3P

K75T60 IGBT 75A 600V TO-3P là transistor lưỡng cực có cổng cách ly (IGBT) dùng cho các mạch công suất cao và trung bình. Linh kiện có dòng điện cực đại 75A và điện áp cực đại 600V, thích hợp cho bộ nguồn công nghiệp, biến tần, điều khiển động cơ, UPS, và các ứng dụng điện tử công suất lớn. Gói TO-3P hỗ trợ tản nhiệt hiệu quả với các tấm tản nhiệt bắt vít.

2. Cấu tạo linh kiện K75T60 IGBT 75A 600V TO-3P

Gói: TO-3P (3 chân + tản nhiệt lớn).
Chân chính:
- Collector (C): cực thu
- Emitter (E): cực phát
- Gate (G): cổng điều khiển
Có diode phục hồi nhanh (FRD) tích hợp giữa Emitter và Collector.
Cấu trúc N-channel silicon, chịu dòng lớn 75A và điện áp 600V.

3. Thông số kỹ thuật K75T60 IGBT 75A 600V TO-3P

Thong so ki thuat IKW75N60T

Điện áp cực đại $V_CE$ : 600V
Dòng điện cực đại liên tục $I_C$ : 75A
Dòng xung cực đại $I_C$ (1ms): ~150A
Công suất tiêu tán $P_C$ : ~350–400W
Điện áp Gate-Emitter tối đa $V_GE$ : ±20V
Điện áp bão hòa Collector-Emitter $V_CE(sat)$ : ~2.5–3.5V
Nhiệt độ hoạt động $T_j$ : -55°C đến 150°C
Thời gian chuyển mạch: ~0.1 μs
Trở kháng nhiệt IGBT: ~0.35–0.45°C/W

4. Kiểu chân và chức năng K75T60 IGBT 75A 600V TO-3P

Cau truc kenh N 1

Chân 1 – Collector (C): Nối cực thu với tải
Chân 2 – Emitter (E): Nối cực phát (mass hoặc ngược điện áp)
Chân 3 – Gate (G): Cổng điều khiển tín hiệu

Tab tản nhiệt của TO-3P nối Collector, giúp tản nhiệt hiệu quả khi bắt ốc với tấm tản nhiệt.

5. Chức năng linh kiện K75T60 IGBT 75A 600V TO-3P

Hoạt động như công tắc điện tử
Khi Gate có điện áp dương: transistor dẫn điện, dòng lớn đi qua Collector → Emitter
Khi Gate 0V: transistor ngừng dẫn, dòng điện bị chặn
Điều khiển dòng điện lớn bằng tín hiệu nhỏ, giảm tổn thất và tăng hiệu suất chuyển mạch

6. Ứng dụng K75T60 IGBT 75A 600V TO-3P

Bộ nguồn công suất cao
Biến tần điều khiển động cơ AC/DC công nghiệp
Bộ nghịch lưu (Inverter) năng lượng tái tạo
Điều khiển động cơ servo và robot công nghiệp
Ứng dụng công nghiệp cần chuyển mạch nhanh và chịu dòng lớn

7. Kích thước K75T60 IGBT 75A 600V TO-3P

to 3pl 4

Gói TO-3P: 3 chân + tản nhiệt
Chiều dài: ~22 mm
Chiều rộng: ~20 mm
Chiều cao: ~7 mm (không tính tản nhiệt)
Trọng lượng: ~15–18g

8. Cách đo kiểm tra sống chết K75T60 IGBT 75A 600V TO-3P

Đo điện trở giữa các chân:
- Gate → Emitter, Gate → Collector phải rất lớn (vô cùng lớn)
Đo V_CE khi dẫn:
- Cấp điện áp Gate → V_CE < 3.5V
Kiểm tra ngắt:
- Ngắt điện áp Gate → transistor ngừng dẫn
Đo thời gian chuyển mạch:
- Thời gian bật/tắt <1 μs
Nếu kết quả không đạt: linh kiện hỏng, cần thay thế