FCPF190N60E 190N60E Mosfet Kênh N 20.6A 600V TO-220F

Ritech.vn là đơn vị chuyên cung cấp Mosfet FCPF190N60E với chất lượng tốt và giá cả hợp lý đảm bảo số lượng lớn đáp ứng nhu cầu của mọi khách hàng.

Giới thiệu

SUPERFET II MOSFET là đỉnh cao hoàn toàn mới của ON Semiconductor Họ MOSFET siêu tiếp giáp điện áp (SJ) đang sử dụng điện tích công nghệ cân bằng cho điện trở thấp vượt trội và cổng thấp hơn hiệu suất sạc. Công nghệ này được thiết kế để giảm thiểu tổn thất dẫn truyền, cung cấp hiệu suất chuyển mạch vượt trội và chịu được tốc độ dv/dt cực cao và năng lượng tuyết lở cao hơn. Do đó, dòng ổ đĩa SUPERFET II MOSFET Easy giúp quản lý các vấn đề EMI và cho phép thực hiện thiết kế dễ dàng hơn.

Đặc trưng

• 650 V @ TJ= 150°C
• Đánh máy. RDS(bật)= 160 m
• Điện tích cổng cực thấp (Loại Qg= 63 nC)
• Điện dung đầu ra hiệu quả thấp (Loại Coss.eff = 178 pF)
• Đã kiểm tra tuyết lở 100%
• Các thiết bị này không chứa Pb và tuân thủ RoHS

Ứng dụng

• Bộ nguồn máy tính/hiển thị
• Nguồn điện viễn thông/máy chủ
• Nguồn điện công nghiệp
• Đèn/Bộ sạc/Bộ chuyển đổi

Mô tả

• Ký hiệu loại: FCPF190N60E
• Loại Transistor: MOSFET
• Loại kênh điều khiển: N -Channel
• Tản điện tối đa (Pd): 39 W
• Điện áp nguồn xả tối đa |Vds|: 600 V
• Điện áp nguồn cổng tối đa |Vgs|: 20 V
• Điện áp ngưỡng cổng tối đa |Vgs(th)|: 3,5 V
• Dòng xả tối đa |Id|: 20,6 A
• Nhiệt độ tiếp giáp tối đa (Tj): 150 °C
• Tổng phí cổng (Qg): 63 nC
• Thời gian tăng (tr): 14 nS
• Điện dung nguồn thoát nước (Cd): 1795 pF
• Điện trở trạng thái nguồn thoát tối đa (Rds): 0,19 Ohm
• Đóng gói: TO220F

Xem thêm: Các sản phẩm Mosfet khác

Hình ảnh sản phẩm

Thông số kỹ thuật của Mosfet FCPF190N60E

Sơ đồ chân

Kích thước của Mosfet FCPF190N60E

Datasheet FCPF190N60E