11N120CND, 11N120 IGBT 43A-1200V TO-3P

39.500₫

Mã sản phẩm : 11N120CND

Loại linh kiện: IGBT

Kiểu chân: TO-3P

Điện áp: 1200V

Dòng điện: 43A

Hình thức : Mới

Tình trạng : Còn hàng

Vị trí: 22-04

Hỗ trợ trực tuyến
Kinh doanh : 0973549046
Kĩ thuật viên : 0979578581
(Giờ làm việc: 8h đến 18h từ T2-T7 )
Chú ý: Chỉ gửi đơn hàng tối thiểu 50.000 vnđ

1. Giới thiệu 11N120CND, 11N120

11N120CND hay 11N120 là IGBT công suất cao (Insulated Gate Bipolar Transistor) do Fairchild / ON Semiconductor sản xuất, chuyên dùng trong các bộ nghịch lưu, điều khiển động cơ, và nguồn xung công suất lớn.
Linh kiện này kết hợp ưu điểm của MOSFET (điện áp điều khiển nhỏ) và Transistor công suất (chịu dòng lớn), mang lại hiệu suất cao, tổn hao thấp và khả năng đóng ngắt nhanh.
11N120CND có khả năng chịu điện áp 1200V, dòng định mức 43A, thích hợp cho máy hàn điện tử, UPS, PFC, biến tần công nghiệp, và mạch cảm ứng tần số cao.

11N120CND

2. Cấu tạo 11N120CND, 11N120

Cấu trúc bán dẫn: N–P–N–P với lớp cách ly Gate Oxide tương tự MOSFET.
Tích hợp diode chống song song (Free-Wheeling Diode) để bảo vệ khi đóng cắt tải cảm ứng.
Công nghệ Field-Stop Trench IGBT giúp giảm tổn hao chuyển mạch, tăng hiệu suất.
Đóng gói vỏ TO-3P tản nhiệt tốt, phù hợp gắn với tấm nhôm (heatsink) công suất cao.

3. Sơ đồ chân và ký hiệu 11N120CND, 11N120

TO 3P 1

Chân	Ký hiệu	Chức năng
1	G	Gate – Cổng điều khiển
2	C	Collector – Cực thu
3	E	Emitter – Cực phát

🔹 Phần tab kim loại phía sau nối chung với Collector (C), dùng để tản nhiệt.

4. Nguyên lý hoạt động 11N120CND, 11N120

Khi điện áp dương được đưa vào Gate (G) so với Emitter (E) (thường +15VDC), lớp cách ly tạo ra kênh dẫn, cho phép dòng lớn chảy từ Collector → Emitter.
Khi điện áp Gate giảm xuống 0V hoặc âm, kênh dẫn bị ngắt, IGBT tắt hoàn toàn.
Diode tích hợp sẵn giúp chống dòng ngược khi chuyển mạch tải cảm ứng (motor, cuộn dây…).
Đặc điểm: điện trở mở thấp, điện áp điều khiển nhỏ, thời gian đóng ngắt nhanh (micro giây), rất phù hợp cho mạch tần số cao.

5. Thông số kỹ thuật chính 11N120CND, 11N120

Thông số	Giá trị
Điện áp cực đại Collector–Emitter (Vce)	1200 V
Dòng cực đại Collector (Ic)	43 A
Dòng xung cực đại (Icm)	86 A
Điện áp Gate–Emitter tối đa (Vge)	±20 V
Điện áp bão hòa Vce(sat)	2.2 V @ Ic=25A
Dòng rò Collector (Ices)	≤250 µA @ Vce=1200V
Thời gian đóng (Ton)	~100 ns
Thời gian ngắt (Toff)	~300 ns
Công suất tiêu tán tối đa (Pd)	250 W
Nhiệt độ mối nối tối đa (Tj)	–55°C đến +150°C
Kiểu vỏ	TO-3P 3 chân

6. Ứng dụng 11N120CND, 11N120

Bộ nghịch lưu (Inverter) trong máy hàn điện tử, UPS, năng lượng mặt trời (PV inverter).
Biến tần điều khiển động cơ AC/DC, Servo motor, quạt công nghiệp.
Nguồn xung công suất cao, bộ PFC, mạch Boost/Converter.
Mạch điều khiển cảm ứng nhiệt, mạch kích từ, và hệ thống điều tốc.
Thay thế các loại IGBT 1200V tương đương như HGTG10N120, GT50J325, FGA25N120.

7. Kích thước & Đóng gói 11N120CND, 11N120

KT TO 3P 1

Vỏ: TO-3P (3 chân thẳng hàng, khoảng cách tiêu chuẩn).
Kích thước tổng thể:
- Dài: 20 mm
- Rộng: 15 mm
- Dày: 5 mm
Chất liệu: nhựa chịu nhiệt cao, chân đồng mạ Niken.
Tản nhiệt: tab kim loại Collector gắn trực tiếp với heatsink qua keo dẫn nhiệt hoặc vít M3.
Trọng lượng: ~5 g.
Nhà sản xuất: ON Semiconductor / Fairchild.

8. Cách đo kiểm tra sống/chết 11N120CND, 11N120

Dụng cụ: đồng hồ vạn năng (thang Diode).

Bước 1 – Kiểm tra diode chống ngược:

Đặt que đỏ vào Emitter (E), que đen vào Collector (C) → đồng hồ hiển thị khoảng 0.4–0.6V → diode tốt.
Đảo chiều (đỏ vào C, đen vào E) → OL (không thông) → bình thường.

Bước 2 – Kiểm tra khả năng mở/tắt:

Đặt que đen vào Emitter (E), đỏ vào Collector (C) → OL.
Dùng tay chạm đồng thời G và C vài giây (nạp điện vào Gate).
Vẫn giữ que đo (đen E, đỏ C): nếu đồng hồ hiển thị 0.4–0.6V → IGBT đang mở, còn tốt.
Chạm G vào E để xả điện → giá trị trở về OL → IGBT đóng bình thường.