10N120BND, HGTG10N120BND TO-247 IGBT 1200V 35A (TM)

12.500₫

Đã bán: 30

Mã sản phẩm: 10N120BND

Loại linh kiện: IGBT

Kiểu chân: TO-247

Điện áp: 1200V

Dòng điện: 35A

Hình thức: Tháo máy

Tình trạng: Còn hàng

Vị trí: 22-03

Đã cập nhật

Hỗ trợ trực tuyến
Kinh doanh : 0333595662
Kĩ thuật viên : 0979578581
(Giờ làm việc: 8h đến 18h từ T2-T7 )
Chú ý: Chỉ gửi đơn hàng tối thiểu 50.000vnd và chưa bao gồm phí vận chuyển (Đội ngũ nhân viên lên đơn sẽ liên hệ với khách hàng thông báo chi phí vận chuyển khi đơn hàng được đặt thành công).

1. Giới thiệu 10N120BND, HGTG10N120BND

10N120BND hay HGTG10N120BND là IGBT công suất cao (Insulated Gate Bipolar Transistor) do hãng ON Semiconductor (trước đây là Fairchild / Harris / Intersil) sản xuất.
Đây là loại N-Channel IGBT dòng cao, điện áp chịu đựng tới 1200V, dòng định mức 35A, được tối ưu cho các mạch nguồn xung, biến tần, điều khiển động cơ, và nghịch lưu công suất cao.
IGBT kết hợp ưu điểm điện áp điều khiển như MOSFET và dòng chịu tải như transistor công suất, giúp đóng ngắt nhanh, tổn hao thấp, và hiệu suất cao.

10N120BND IGBT 1

2. Cấu tạo 10N120BND, HGTG10N120BND

Cấu trúc gồm:

Lớp cổng cách ly (Gate Oxide) tương tự MOSFET.
Lớp bán dẫn N-P-N-P dạng trench, giúp dẫn dòng mạnh khi mở.
Diode chống song song (anti-parallel diode) tích hợp sẵn để bảo vệ khi làm việc với tải cảm ứng.
Vỏ TO-247 tản nhiệt tốt, có khả năng gắn trực tiếp lên heatsink.

3. Sơ đồ chân và ký hiệu 10N120BND, HGTG10N120BND

TO 3P

Chân	Ký hiệu	Chức năng
1	G	Gate – Cổng điều khiển
2	C	Collector – Cực thu
3	E	Emitter – Cực phát

🔹 Vỏ TO-247 có phần tản nhiệt (tab) nối chung với Collector.

4. Nguyên lý hoạt động 10N120BND, HGTG10N120BND

Khi điện áp dương được đưa vào Gate (G) so với Emitter (E) (thường 15VDC), lớp cách ly gate oxide tạo ra kênh dẫn giữa Collector và Emitter, cho phép dòng lớn chảy qua.
Khi tín hiệu Gate giảm xuống 0V hoặc âm, kênh dẫn bị ngắt, IGBT tắt.
Nhờ đặc tính điện áp điều khiển nhỏ (giống MOSFET) và dòng chịu tải lớn (giống BJT), IGBT thích hợp cho mạch điều khiển tải công suất cao, tần số vài chục kHz.
Diode nội chống ngược giúp giảm xung điện áp trong mạch nghịch lưu hoặc điều khiển động cơ.

5. Thông số kỹ thuật chính 10N120BND, HGTG10N120BND

Thông số	Giá trị điển hình
Điện áp cực đại Collector–Emitter (Vce)	1200 V
Dòng cực đại Collector (Ic)	35 A
Dòng xung cực đại (Icm)	70 A
Điện áp Gate–Emitter tối đa (Vge)	±20 V
Điện trở dẫn trạng thái (Vce(sat))	2.2 V @ Ic=20A
Thời gian đóng (Ton)	~100 ns
Thời gian ngắt (Toff)	~300 ns
Công suất tiêu tán tối đa (Pd)	250 W
Nhiệt độ làm việc (Tj)	–55°C đến +150°C
Kiểu vỏ	TO-247 3 chân

6. Ứng dụng 10N120BND, HGTG10N120BND

Bộ nghịch lưu (Inverter) trong máy hàn, UPS, hoặc năng lượng mặt trời.
Điều khiển động cơ DC/AC, Servo, biến tần công nghiệp.
Nguồn xung công suất cao (SMPS, PFC).
Bộ tạo xung cao tần, mạch điều khiển cảm ứng nhiệt (Induction heater).
Mạch điều khiển tải cảm ứng, relay bán dẫn công suất.

7. Kích thước & Đóng gói 10N120BND, HGTG10N120BND

KT TO 3P

Vỏ: TO-247 (3 chân thẳng hàng).
Kích thước tổng thể:
- Dài: ~20 mm
- Rộng: ~15 mm
- Cao: ~5 mm
Chất liệu: Nhựa chịu nhiệt, chân mạ Niken.
Khả năng tản nhiệt cao, gắn được với keo tản hoặc ốc M3 trên heatsink.
Nhà sản xuất: ON Semiconductor (Fairchild – Intersil).

8. Cách đo kiểm tra sống/chết 10N120BND, HGTG10N120BND

Dụng cụ: đồng hồ vạn năng số (thang Diode).

Bước 1 – Kiểm tra diode chống ngược:

Đặt que đỏ vào Emitter (E), đen vào Collector (C) → đồng hồ hiển thị khoảng 0.4–0.6V → diode tốt.
Đổi chiều đo (đỏ vào C, đen vào E) → OL (không thông) → đúng.

Bước 2 – Kiểm tra khả năng dẫn/tắt của IGBT:

Đặt que đen vào Emitter (E), đỏ vào Collector (C) → OL (chưa dẫn).
Dùng tay chạm đồng thời G và C vài giây để nạp điện Gate.
Giữ nguyên que đo (đen E, đỏ C): nếu đồng hồ bắt đầu dẫn (hiện 0.4–0.6V) → IGBT đang mở.
Sau đó, chạm G vào E để xả điện → đồng hồ về OL → IGBT tắt bình thường.